Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R
- 双极 BJT - 单 PNP 65 V 100 mA 250MHz 330 mW 表面贴装型 SOT-23-3
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 330 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 65 V
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC 856A E6327 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856ALT1G 安森美 | 功能相似 | BC 856A E6327和BC856ALT1G的区别 |
BC856A-7-F 美台 | 功能相似 | BC 856A E6327和BC856A-7-F的区别 |
BC856A,215 安世 | 功能相似 | BC 856A E6327和BC856A,215的区别 |