BCR183WE6327HTSA1

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BCR183WE6327HTSA1概述

SOT-323 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3


BCR183WE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR183WE6327HTSA1
型号: BCR183WE6327HTSA1
描述:SOT-323 PNP 50V 100mA
替代型号BCR183WE6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR183WE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

PDTA114EU,135

安世

功能相似

BCR183WE6327HTSA1和PDTA114EU,135的区别

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