BC856BDW1T1

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BC856BDW1T1概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.


得捷:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 80V Dual PNP


BC856BDW1T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BC856BDW1T1
型号: BC856BDW1T1
描述:双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
替代型号BC856BDW1T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC856BDW1T1

ON Semiconductor 安森美

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BC856BDW1T1和BC856BDW1T1G的区别

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