BA12004BF-E2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BA12004BF-E2概述

缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT 755-BA12004DF-ZE2

Bipolar BJT Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 620mW Surface Mount 16-SOP

得捷:
TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP

贸泽:
缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT 755-BA12004DF-ZE2

Win Source:
TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP

BA12004BF-E2中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.62 W

极性 NPN

耗散功率 620 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

额定功率Max 620 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 620 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BA12004BF-E2

型号： BA12004BF-E2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT 755-BA12004DF-ZE2