BC858CDXV6T5参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC858CDXV6T5概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP（双） 30V 100mA 100MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563

得捷:
TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563

BC858CDXV6T5中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC858CDXV6T5

型号： BC858CDXV6T5

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

替代型号BC858CDXV6T5

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC858CDXV6T5 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC858CDXV6T1G 安森美	完全替代	BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T1G的区别
BC858CDXV6T5G 安森美	完全替代	BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T5G的区别
BC858CDXV6T1 安森美	完全替代	BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T1的区别