BQ4010MA-70

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BQ4010MA-70概述

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb(8K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


BQ4010MA-70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 70 ns

内存容量 8000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

宽度 18.42 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

BQ4010MA-70引脚图与封装图
BQ4010MA-70引脚图
BQ4010MA-70封装图
BQ4010MA-70封装焊盘图
在线购买BQ4010MA-70
型号: BQ4010MA-70
制造商: TI 德州仪器
描述:8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM
替代型号BQ4010MA-70
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ4010MA-70

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

M48Z08-100PC1

意法半导体

功能相似

BQ4010MA-70和M48Z08-100PC1的区别

M48Z58-70PC1

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