BC847CDXV6T5G

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BC847CDXV6T5G概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 45V 100mA 100MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563


得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN


BC847CDXV6T5G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC847CDXV6T5G
型号: BC847CDXV6T5G
描述:双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
替代型号BC847CDXV6T5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC847CDXV6T5G

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

BC847CDXV6T5G和BC847CDXV6T5的区别

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