BLF578概述
功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor
The is a 1200W LDMOS Power Transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500MHz band.
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- Easy Power Control
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- ESD Protection Upto 1.5kV
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- Excellent Ruggedness
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- High Efficiency
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- Excellent Thermal Stability
BLF578中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 70 mΩ
漏源极电压Vds 110 V
漏源击穿电压 110 V
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-539
外形尺寸
长度 41.28 mm
宽度 10.29 mm
高度 5.33 mm
封装 SOT-539
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Medical, Communications & Networking, Signal Processing
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
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