BCR183SE6433BTMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR183SE6433BTMA1概述

SOT-363 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

BCR183SE6433BTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR183SE6433BTMA1

型号： BCR183SE6433BTMA1

描述：SOT-363 PNP 50V 100mA

替代型号BCR183SE6433BTMA1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BCR183SE6433BTMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

PUMB11,115

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