BCR22PNE6433HTMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR22PNE6433HTMA1概述

SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR22PNE6433HTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BCR22PNE6433HTMA1

描述：SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA