NXP BCP55-10 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~160
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W
Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching.
描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关。
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 640 mW
最小电流放大倍数hFE 63
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 960 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCP55-10 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP55-10,115 恩智浦 | 功能相似 | BCP55-10和BCP55-10,115的区别 |
BCP55E6327 英飞凌 | 功能相似 | BCP55-10和BCP55E6327的区别 |
BCP55-16E6327 英飞凌 | 功能相似 | BCP55-10和BCP55-16E6327的区别 |