BCP55-10

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BCP55-10概述

NXP  BCP55-10  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~160

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V

耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W

Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching.

描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关。

BCP55-10中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 640 mW

最小电流放大倍数hFE 63

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 960 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BCP55-10引脚图与封装图
BCP55-10引脚图
BCP55-10封装图
BCP55-10封装焊盘图
在线购买BCP55-10
型号: BCP55-10
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCP55-10  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
替代型号BCP55-10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP55-10

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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恩智浦

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