BH18RB1WGUT-E2概述
1路150毫安CMOS LDO稳压器 1ch 150mA CMOS LDO Regulators
PMIC - 稳压器 - 线性 输出
得捷:
IC REG LIN 1.8V 150MA 4VCSP60N1
贸泽:
LDO Voltage Regulators 1.8V
艾睿:
LDO Regulator Pos 1.8V 0.15A 4-Pin VCSP T/R
安富利:
LDO Regulator Pos 1.8V 0.15A 4-Pin VCSP T/R
Chip1Stop:
LDO Regulator Pos 1.8V 0.15A 4-Pin VCSP T/R
DeviceMart:
IC REG LDO 1.8V .15A 4-VCSP
BH18RB1WGUT-E2中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电压 1.8 V
输出电流 150 mA
供电电流 72 µA
耗散功率 0.53 W
跌落电压 100 mV
输入电压Max 5.5 V
输入电压Min 2.5 V
输出电压Min 1.8 V
输出电流Max 0.15 A
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 530 mW
输入电压 2.2V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 WFBGA-4
外形尺寸
长度 1.04 mm
宽度 1 mm
高度 0.39 mm
封装 WFBGA-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买BH18RB1WGUT-E2
型号： BH18RB1WGUT-E2
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：1路150毫安CMOS LDO稳压器 1ch 150mA CMOS LDO Regulators