BUK965R8-100E

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BUK965R8-100E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00445 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 357 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BUK965R8-100E
型号: BUK965R8-100E
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BUK965R8-100E  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.00445 ohm, 10 V, 1.7 V
替代型号BUK965R8-100E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK965R8-100E

NXP 恩智浦

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STH180N10F3-2

意法半导体

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BUK965R8-100E和STH180N10F3-2的区别

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