BS108,126概述
SPTAmmo N-CH 200V 0.3A
N-Channel 200V 300mA Ta 1W Ta Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
贸泽:
MOSFET AMMORA MOSFET
BS108,126中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 0.3A
输入电容Ciss 120pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
替代型号BS108,126
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS108,126 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BS108 飞利浦 | 功能相似 | BS108,126和BS108的区别 |