BS170_J35Z

BS170_J35Z图片1
BS170_J35Z图片2
BS170_J35Z图片3
BS170_J35Z图片4
BS170_J35Z中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 830 mW

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 40pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BS170_J35Z
型号: BS170_J35Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 60V 500mA TO-92

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台