NXP BSP52,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
The is a NPN Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial high gain amplification.
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- High current
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- Low voltage
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- Integrated diode and resistor
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- PNP complements are BSP60, BSP61 and BSP62
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP52,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP52T1G 安森美 | 功能相似 | BSP52,115和BSP52T1G的区别 |
BC817-25,215 恩智浦 | 功能相似 | BSP52,115和BC817-25,215的区别 |