NXP BFG424F,115 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE
RF NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW 表面贴装型 4-SO
得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.03A 135mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin3+Tab DFP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin 3+Tab SO T/R
Newark:
Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE
Win Source:
TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 135 mW
输入电容 475 pF
击穿电压集电极-发射极 4.5 V
增益 23 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 2V
额定功率Max 135 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 135 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BFG424F,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFU668F,115 恩智浦 | 类似代替 | BFG424F,115和BFU668F,115的区别 |
BFG424F 恩智浦 | 功能相似 | BFG424F,115和BFG424F的区别 |