小信号N沟道SOT23封装场效应管
表面贴装型 N 通道 170mA（Ta） SOT-23-3（TO-236）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
贸泽:
MOSFET 100V 170mA N-Channel
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号N沟道SOT23封装场效应管
额定电压DC 100 V
额定电流 170 mA
漏源极电阻 6.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 20.0 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 170 mA
输入电容Ciss 20pF @25VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS123LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS123LT1G 安森美 | 类似代替 | BSS123LT1和BSS123LT1G的区别 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | BSS123LT1和BSS123-7-F的区别 |
BSS123 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSS123LT1和BSS123的区别 |