NXP BSP110,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for relay driver, high speed line driver and logic level translator applications.
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- Very fast switching
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- Logic level compatible
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- Surface-mount package
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- -65 to 150°C Operating junction temperature range
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 520 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 6.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 6.25W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP110,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP110T/R 恩智浦 | 类似代替 | BSP110,115和BSP110T/R的区别 |
BSP110 国巨 | 功能相似 | BSP110,115和BSP110的区别 |