BUZ73参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BUZ73中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 7.00 A

极性 N-Channel

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 40.0 ns

输入电容Ciss 530pF @25VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUZ73

型号： BUZ73

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

替代型号BUZ73

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUZ73 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BUZ32 英飞凌	类似代替	BUZ73和BUZ32的区别
IRF633 Harris	功能相似	BUZ73和IRF633的区别
RFP2N18 Harris	功能相似	BUZ73和RFP2N18的区别