OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS®2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 10A（Tc） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 1560 mW
输入电容 2.13 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 2130pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-8
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSO104N03S Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO094N03S 英飞凌 | 类似代替 | BSO104N03S和BSO094N03S的区别 |
SI4410DYTRPBF 英飞凌 | 功能相似 | BSO104N03S和SI4410DYTRPBF的区别 |
SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | BSO104N03S和SI4384DY-T1-E3的区别 |