的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 55 V 2.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223
Win Source:
OptiMOS Power-Transistor
额定电压DC 55.0 V
额定电流 2.80 A
极性 N-CH
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 330 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP615S2L Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP603S2L 英飞凌 | 类似代替 | BSP615S2L和BSP603S2L的区别 |
BSP60 英飞凌 | 类似代替 | BSP615S2L和BSP60的区别 |
SP-60 英飞凌 | 功能相似 | BSP615S2L和SP-60的区别 |