Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
欧时:
### Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin3+Tab SOT-223
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -2.90 A
极性 P-CH
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 875 pF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.90 A
输入电容Ciss 875pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
长度 40 mm
宽度 40 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP613P Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
NDT2955 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSP613P和NDT2955的区别 |
IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix | 功能相似 | BSP613P和IRFL9014TRPBF的区别 |