Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流IdDrain Current | -4.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.6v~-1.2v 耗散功率PdPower Dissipation | Description & Applications- .
- OptiMOS -P Small-Signal-Transistor. * P-Channel. * Enhancement mode. * Super Logic Level 2.5 V rated. * 150°C operating temperature. * Avalanche rated. * dv/dt rated. 描述与应用 | * OptiMOS-P小信号 。 * P-通道。 * 增强模式。 * 超级逻辑电平（2.5 V额定）。 * 150°C的工作温度。 * 额定雪崩。 * dv / dt的评级。
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.70 A
通道数 1
漏源极电阻 67 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
上升时间 13.9 ns
输入电容Ciss 654pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 23.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6-6
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSL211SP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSL211SPL6327 英飞凌 | 类似代替 | BSL211SP和BSL211SPL6327的区别 |
DMP2066LDMQ-7 美台 | 功能相似 | BSL211SP和DMP2066LDMQ-7的区别 |
BSL211SPL6327HTSA1 英飞凌 | 功能相似 | BSL211SP和BSL211SPL6327HTSA1的区别 |