BSS209PW

的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.58A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.369Ω @-580mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 520mW/0.52W Description & Applications| • P-Channel • Enhancement mode • Super Logic Level 2.5 V rated • 150°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •超级逻辑电平（2.5 V额定） •150°C工作温度 •额定雪崩 •dv / dt的额定

得捷:
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323