SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• Logic Level
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
额定电压DC 200 V
额定电流 5.50 A
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
输入电容 530 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 840pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free