SO N-CH 30V 11.1A
表面贴装型 N 通道 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.1 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
输入电容 1.28 nF
栅电荷 21.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11.1 A
上升时间 33.0 ns
输入电容Ciss 1280pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free