BSF083N03LQ G

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BSF083N03LQ G概述

MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

N-Channel 30V 13A Ta, 53A Tc 2.2W Ta, 36W Tc Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™


得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 13A CanPAK-2 SQ


BSF083N03LQ G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8.3 mΩ

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 1800pF @15VVds

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WDSON-2-3

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 WDSON-2-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSF083N03LQ G
型号: BSF083N03LQ G
描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

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