Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 600V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 90mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 4.5Ω/Ohm @90mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| • n-channel • enhancement mode • Logic level • dv /dt rated • Pb-free lead-plating; RoHS compliant 描述与应用| •n沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定 •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
得捷:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
额定电压DC 600 V
额定电流 90.0 mA
极性 N-CH
耗散功率 1W Ta
输入电容 131 pF
栅电荷 5.80 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 90.0 mA
输入电容Ciss 131pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-4
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead