BSC048N025S G概述
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
N-Channel 25V 19A Ta, 89A Tc 2.8W Ta, 63W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1
得捷:
MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
BSC048N025S G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 19.0 A
耗散功率 2.8W Ta, 63W Tc
输入电容 2.67 nF
栅电荷 21.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 89.0 A
输入电容Ciss 2670pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号BSC048N025S G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSC048N025S G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC050N03LSGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | BSC048N025S G和BSC050N03LSGATMA1的区别 |