BSC119N03S G概述
Trans MOSFET N-CH 30V 11.9A 8Pin TDSON EP
N-Channel 30V 11.9A Ta, 30A Tc 2.8W Ta, 43W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
BSC119N03S G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.9 A
耗散功率 2.8W Ta, 43W Tc
输入电容 1.37 nF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 1370pF @15VVds
额定功率Max 43 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 43W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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