MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
通孔 N 通道 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
上升时间 40 nS
输入电容Ciss 530pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 30 nS
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free