ROHM BSM180D12P2C101 单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 1.2 kV, 2.7 V
The is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
得捷:
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
贸泽:
Discrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 180A no Diode
e络盟:
ROHM BSM180D12P2C101 单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 1.2 kV, 2.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 180A 10-Pin Tray
安富利:
Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 180A 10-Pin Case C Tray
儒卓力:
**SiC Power Module 180A 1200V **
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 1.13 kW
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
漏源击穿电压 3.3 V
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 23000pF @10VVds
额定功率Max 1130 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1360000 mW
引脚数 10
封装 Module
长度 122 mm
宽度 45.6 mm
高度 21.1 mm
封装 Module
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Alternative Energy, Power Management, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
