BLF888BS,112

BLF888BS,112图片1
BLF888BS,112图片2
BLF888BS,112图片3
BLF888BS,112概述

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 650W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-539B

RF Mosfet LDMOS(双),共源 470MHz ~ 860MHz 21dB 250W SOT539B


得捷:
TRANS RF UHF LDMOS 650W SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin SOT-539B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.86 GHz, 650 W, 20 dB, 50 V, LDMOS, SOT-539B


BLF888BS,112中文资料参数规格
技术参数

频率 470MHz ~ 860MHz

输出功率 250 W

增益 21 dB

输入电容Ciss 210pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF888BS,112
型号: BLF888BS,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 650W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-539B

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台