BSD223P参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSD223P概述

的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 390mA 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

BSD223P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -350 mA

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 390 mA

上升时间 5.00 ns

输入电容Ciss 56pF @15VVds

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSD223P

型号： BSD223P

描述：的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

替代型号BSD223P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSD223P Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSD223PL6327 英飞凌	类似代替	BSD223P和BSD223PL6327的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BSD223P

Infineon 英飞凌

当前型号

BSD223PL6327

英飞凌

类似代替