BSP613P H6327概述
INFINEON BSP613P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
立创商城:
BSP613P H6327
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
儒卓力:
**P-CH MOS-FET 2,9A 60V SOT223 **
BSP613P H6327中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.8 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2.1 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 715pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSP613P H6327
型号： BSP613P H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP613P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V