BSP41,115

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BSP41,115概述

NXP  BSP41,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 100 hFE

The is a NPN Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the telephony and general industrial applications, thick and thin-film circuits.

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High current
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Low voltage
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PNP complements are BSP31, BSP32 and BSP33
BSP41,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

宽度 3.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Communications & Networking, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP41,115
型号: BSP41,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSP41,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 100 hFE
替代型号BSP41,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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