BSO215C参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BSO215C概述

SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3.7A 2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

BSO215C中文资料参数规格

技术参数

额定电流 3.10 A

极性 N+P

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.7A

输入电容Ciss 246pF @25VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BSO215C

型号： BSO215C

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor