NXP BCP55,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
The BCP55 series 1A NPN Medium Power Transistor in a very small leadless surface-mount plastic package.
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- High current
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- Three current gain selections
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- High power dissipation capability
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- Exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity
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- AEC-Q101 qualified
频率 180 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 640 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 63 @5mA, 2V
额定功率Max 1.35 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.96 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCP55,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP55,135 恩智浦 | 完全替代 | BCP55,115和BCP55,135的区别 |
BCP55-10,115 恩智浦 | 类似代替 | BCP55,115和BCP55-10,115的区别 |
BAT54SW,115 恩智浦 | 功能相似 | BCP55,115和BAT54SW,115的区别 |