NXP BCP69,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE
The is a 2A PNP Medium Power Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.
- .
- High current
- .
- Three current gain selections
- .
- High power dissipation capability
- .
- BCP69 marking code
- .
- BCP68 PNP complement
- .
- AEC-Q101 qualified
频率 140 MHz
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 50 @5mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 85
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCP69,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP69,135 恩智浦 | 类似代替 | BCP69,115和BCP69,135的区别 |
BCP69T1G 安森美 | 功能相似 | BCP69,115和BCP69T1G的区别 |
BCP69 飞兆/仙童 | 功能相似 | BCP69,115和BCP69的区别 |