BS170"D26Z

BS170"D26Z图片1
BS170"D26Z图片2
BS170"D26Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买BS170"D26Z
型号: BS170"D26Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS170"D26Z  场效应管, MOSFET, N沟道
替代型号BS170"D26Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BS170"D26Z

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

BS170

飞兆/仙童

完全替代

BS170"D26Z和BS170的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台