BC847BVN

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BC847BVN概述

NXP  BC847BVN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW Description & Applications| Features • NPN/PNP general purpose transistor • 300 mW total power dissipation • Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package • Excellent coplanarity due to straight leads • Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area • Reduced required PCB area • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Switch mode power supply complementary MOSFET driver • Complementary driver for audio amplifiers. 描述与应用| 特点 •NPN/ PNP通用 •300 mW的总功耗 •非常小的1.6毫米×1.2毫米的超薄封装 •优秀的共面性,由于直引线 •替换两个SC-75/SC-89包装相同的PCB面积上的晶体管 •减少所需PCB面积 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •开关模式电源互补MOSFET驱动器 •互补驱动器,音频放大器。

BC847BVN中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 200

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial, Audio, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BC847BVN引脚图与封装图
BC847BVN引脚图
BC847BVN封装图
BC847BVN封装焊盘图
在线购买BC847BVN
型号: BC847BVN
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC847BVN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666
替代型号BC847BVN
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