NXP BC847BVN 双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW Description & Applications| Features • NPN/PNP general purpose transistor • 300 mW total power dissipation • Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package • Excellent coplanarity due to straight leads • Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area • Reduced required PCB area • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Switch mode power supply complementary MOSFET driver • Complementary driver for audio amplifiers. 描述与应用| 特点 •NPN/ PNP通用 •300 mW的总功耗 •非常小的1.6毫米×1.2毫米的超薄封装 •优秀的共面性,由于直引线 •替换两个SC-75/SC-89包装相同的PCB面积上的晶体管 •减少所需PCB面积 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •开关模式电源互补MOSFET驱动器 •互补驱动器,音频放大器。
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
最小电流放大倍数hFE 200
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
封装 SOT-666
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Audio, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847BVN NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BVN,115 恩智浦 | 类似代替 | BC847BVN和BC847BVN,115的区别 |
BC847BPN,115 安世 | 功能相似 | BC847BVN和BC847BPN,115的区别 |
BC847BS,115 恩智浦 | 功能相似 | BC847BVN和BC847BS,115的区别 |