BSZ110N06NS3 G

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BSZ110N06NS3 G概述

INFINEON  BSZ110N06NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


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Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R


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MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8


BSZ110N06NS3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 2700pF @30VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: BSZ110N06NS3 G
描述:INFINEON  BSZ110N06NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

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