BSO615N G

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BSO615N G概述

INFINEON  BSO615N G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V

SIPMOS® 双 N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
2个N沟道 60V 2.6A


欧时:
### Infineon SIPMOS® 双 N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO


儒卓力:
**DUAL 60V 3A 150mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC


BSO615N G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.60 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 380 pF

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.60 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 380pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSO615N G
型号: BSO615N G
描述:INFINEON  BSO615N G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
替代型号BSO615N G
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