INFINEON BSO615N G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
SIPMOS® 双 N 通道 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
2个N沟道 60V 2.6A
欧时:
### Infineon SIPMOS® 双 N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO
儒卓力:
**DUAL 60V 3A 150mOhm SO-8 **
Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.60 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.12 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 380 pF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 380pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO615N G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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