BCX52-10,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCX52-10,115概述

NXP BCX52-10,115 单晶体管双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 63 hFE

The is a 1A PNP Medium Power Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers exposed heat-sink for excellent thermal.

.: High current

.: Three current gain selections

.: High power dissipation capability

.: AG marking code

.: AEC-Q101 qualified

BCX52-10,115中文资料参数规格

技术参数

频率 145 MHz

针脚数 3

正向电压 1.25 V

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCX52-10,115

型号： BCX52-10,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BCX52-10,115 单晶体管双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 63 hFE

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替代型号BCX52-10,115

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