BCP56-16,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP56-16,115概述

NXP BCP56-16,115 单晶体管双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

The BCP56 series 1A NPN Medium Power Transistor in a very small leadless surface-mount plastic package.

.: High current

.: Three current gain selections

.: High power dissipation capability

.: Exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity

.: AEC-Q101 qualified

BCP56-16,115中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 960 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 0.96 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCP56-16,115

型号： BCP56-16,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BCP56-16,115 单晶体管双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

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替代型号BCP56-16,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCP56-16,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
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