NXP BST62,115 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.3 W, -1 A, 2000 hFE
The is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial switching applications such as print hammer, solenoid, relay and lamp driving. It offers collector pad for good heat transfer.
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BST62,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FMMT593TA 美台 | 功能相似 | BST62,115和FMMT593TA的区别 |
BZX585-B4V7,115 恩智浦 | 功能相似 | BST62,115和BZX585-B4V7,115的区别 |