BSC025N03MS G

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BSC025N03MS G概述

INFINEON  BSC025N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


立创商城:
N沟道 30V 100A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC025N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8


BSC025N03MS G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 2.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 5700pF @15VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC025N03MS G
型号: BSC025N03MS G
描述:INFINEON  BSC025N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V
替代型号BSC025N03MS G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC025N03MS G

Infineon 英飞凌

当前型号

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FDMS7670

飞兆/仙童

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FDMS8660S

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