INFINEON BSC025N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
立创商城:
N沟道 30V 100A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC025N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
针脚数 8
漏源极电阻 2.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 5700pF @15VVds
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC025N03MS G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS7670 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC025N03MS G和FDMS7670的区别 |
FDMS8660S 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC025N03MS G和FDMS8660S的区别 |