NXP BCP56-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~160 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching. 描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCP56-10 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP56-10,115 恩智浦 | 完全替代 | BCP56-10和BCP56-10,115的区别 |
BCP56-16E6327 英飞凌 | 类似代替 | BCP56-10和BCP56-16E6327的区别 |
BCP56-10T 恩智浦 | 类似代替 | BCP56-10和BCP56-10T的区别 |