BAP1321-04,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

BAP1321-04,215概述

NXP BAP1321-04,215 二极管, 射频/PIN, 双系列, 0.85 ohm, 60 V, SOT-23, 3引脚, 0.325 pF

The is a Silicon PIN Diode with ultra-small SMD plastic package. It has high voltage current controlled device. It is suitable for RF attenuators and switches and for applications up to 3GHz.

.: RF resistor for RF attenuators and switches

.: Low diode capacitance

.: Low diode forward resistance

.: Very low series inductance

.: -65 to 150°C Junction temperature range

BAP1321-04,215中文资料参数规格

技术参数

电容 0.325 pF

耗散功率 250 mW

正向电流 50 mA

击穿电压 60 V

正向电流Max 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用射频通信, 电源管理, 工业, RF Communications, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2018/06/27

数据手册

在线购买BAP1321-04,215

型号： BAP1321-04,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BAP1321-04,215 二极管, 射频/PIN, 双系列, 0.85 ohm, 60 V, SOT-23, 3引脚, 0.325 pF

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替代型号BAP1321-04,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BAP1321-04,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BAR66 英飞凌	功能相似	BAP1321-04,215和BAR66的区别
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